RN1422TE85LF
Specificaties
Categorie:
Discrete halfgeleiderproducten
Transistors
Bipolair (BJT)
enkelvoudige, voorgevoelige bipolaire tran
Stroom - collector (Ic) (max):
800 mA
Productstatus:
Actief
Type transistor:
Pre-Pre-Biased NPN -
Frequentie - Overgang:
300 MHz
Montage-type:
Oppervlakte
Pakket:
Tape & Reel (TR)
Snijdband (CT)
Digi-Reel®
Reeks:
-
Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic:
250mV @ 1mA, 50mA
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max):
50 V
Verpakking van de leverancier:
S-mini
Resistor - basis (R1):
2.2 kOhms
Mfr:
Toshiba halfgeleiders en opslag
Resistor - basis van de zender (R2):
2.2 kOhms
Stroom - collectievergrens (maximaal):
500nA
Vermogen - Max.:
200 mW
Pakket / doos:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce:
65 @ 100mA, 1V
Basisproductnummer:
RN1422
Inleiding
Bipolaire transistor (BJT) NPN - 50 V 800 mA 300 MHz 200 mW
Verzend RFQ
Voorraad:
In Stock
MOQ: